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Disco Solido Nvme Hiksemi Future Lite 512GB Gen4

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  • Factor de Forma: M.2 NVMe 2280
  • Capacidad: 512GB
  • Lectura Secuencial Máxima (MB/s): 7100 MB/s
  • Escritura Secuencial Máxima (MB/s): 3111 MB/s
  • Lectura Aleatoria 4K IOPS Máxima: 583K
  • Escritura Aleatoria 4K IOPS Máxima: 525K
  • Consumo de Energía Máximo: 3.1W
  • TBW (Terabytes Escritos Totales): 375TB
  • Medio de Almacenamiento: 3D NAND
  • Interfaz: PCIe Gen 4 x 4
  • MTBF (Tiempo Medio Entre Fallos): 2,000,000 horas
  • Temperatura de Operación: 0-70°C
  • Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a 85 °C

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