el ssd e1000 adopta la interfaz m.2, el chip informático de control ssd avanzado y el flash nand 3d para mejorar de manera efectiva la velocidad r/w y garantizar la seguridad de los datos.
capacidad 512gb
forma de factor m.2(2280)
interfaz pcie gen3×4
máxima velocidad de lectura secuencial de 128 k 2000 mb/s
máxima velocidad de escritura secuencial de 128 k 1600 mb/s
máxima iops de lectura aleatoria de 4 k 125 k
máxima iops de escritura aleatoria de 4 k 128 k
consumo de potencia
lectura (rms máx.) 7.2 w
escritura (rms máx.) 6.1 w
resistencia (tbw) 320 tb
memoria flash nand 3d tlc
peso = 8 g
mtbf (tiempo medio entre fallos) 1,500,000 h
temperatura de operación 0 °c a 70 °c (32 °f a 158 °f)
humedad de operación 5% a 95% (sin condensación)
